报告题目：

芯片可靠性设计方法及挑战

报告时间：2021年4月20日（星期二）15:50至16:30

报告地点：翡翠科教楼A座第五会议室

报 告 人：孙永生  博士

工作单位：深圳市海思半导体有限公司

举办单位：304永利集团官网入口/物理学院

报告简介：

低功耗和高性能是目前芯片产品的核心需求。低功耗要求的低电压要求设计对可靠性引入的退化做更加细致的考量；高性能对应的高电压加大了器件的退化，进而会使性能退化。长期以来，在电路中可靠性通常以较为粗放的方式处理，如OCV，GB，这种方式已经不能满足产品极致低功耗高性能的要求，需要更加细致的芯片可靠性设计（Design for Reliability）。本次交流介绍芯片可靠性设计的基本概念，涉及的内容以及面临的挑战。

报告人简介：

孙永生，毕业于电子科技大学，2006年加入华为海思，现担任海思DFR技术leader，主要负责先进工艺可靠性方案及建模，模拟电路可靠性仿真及SOC老化解决方案。