报告题目：

创新实践系列专题报告(2)—纳米尺度下集成电路抗辐射加固设计

报告时间：2021年3月24日15:30至16:30

报告地点：304永利集团官网入口翡翠湖校区七教304

报告人：黄正峰 教授

工作单位：304永利集团官网入口电子科学与应用物理学院

报告人简介：

  黄正峰，现为304永利集团官网入口304永利集团官网入口教授、博士生导师，研究方向为数字集成电路的硬件容错、星载SoC芯片的抗辐射加固研究。主持自然科学基金面上项目2项、自然科学基金青年项目1项、教育部博士点基金1项。担任中国计算机学会容错计算专业委员会常务委员，第27届IEEE亚洲测试学术会议( ATS2018)程序主席，第17届全国容错计算学术会议（CFTC 2017）宣传主席。

报告内容简介：

  集成电路行业快速发展，航空航天领域对于高可靠长寿命的芯片需求十分迫切，纳米尺度下电荷共享效应引发的单粒子多点翻转成为抗辐射加固设计的难点。本次报告重点介绍容忍波动的单粒子多点翻转加固设计理论方法与关键技术。